SK海力士发布业界初度成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。 HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)手艺*，由多个垂直毗连的DRAM芯片组合而成，是一种高价值产物，立异性地提高了数据措置速度。SK海力士去年7月在业界初度最先批量出产HBM2E* DRAM后，时隔仅1年零3个月开发了HBM3，巩固了该市场的主导权。

SK海力士强调，“经由过程此次HBM3，不仅实现了今朝为止的HBM DRAM中最高的速度和最年夜容量，还年夜幅提高了质量水平。”

SK海力士研发的HBM3能够每秒措置819GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输 163部全高清(Full-HD)片子(每部5GB)。与上一代HBM2E对比，速度提高了约78%。

与此同时，该产物还内置了ECC校检(On Die-Error Correction Code)。HBM3经由过程该内置型ECC校检可以自身修复DRAM单元(cell)的数据的错误，是以产物的靠得住性也年夜幅提高。

此次HBM3将以16GB和24GB两种容量上市。特别是24GB是业界最年夜的容量。为了实现24GB，SK海力士手艺团队将单品DRAM芯片的高度磨削到约30微米(μm, 10^-6m)，相当于A4纸厚度的1/3，然后使用TSV手艺垂直毗连12个芯片。（最新消息，2021年10月20日韩国首尔）